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更新日期:107年1月14日

盧志遠博士榮獲美國國家發明家學院院士

物理系特聘研究講座教授盧志遠博士榮獲學術發明家最高榮譽 -「2017年美國國家發明家學院 (NAI, National Academy of Inventors) 院士 (NAI Fellow)」。盧博士獲此榮銜,彰顯NAI高度推崇與肯定其傑出發明,對於促進生活品質、經濟發展和社會福利展現高度且豐富多元的創新精神,並產生實質性影響力。盧志遠博士將於2018年4月5日應邀至美國受奬表揚。

NAI 院士是國際發明家最重要的榮譽之一,除了學術成就,更推崇學有所用。臺大傑出校友,目前也是臺大物理系特聘講座教授的盧志遠博士,浸淫半導體產學研界逾30年。他長期投身於科技創新及尖端研發,不但是位傑出科研專家,且又能具體實踐應用。早於1980年代中期,盧志遠博士即在Bell Labs研發當時業界最高伏技術600V之BCDMOS IC技術,他也是全球首位於IEDM發表DRAM最詭譎的可靠性問題技術論文,之後領導研發Bell Labs 0.6微米 Twin-tub CMOS元件製程技術,其技術理論迄今仍被廣泛引用。而他於1989年受邀回臺,出任工研院電子所副所長,帶領執行國家次微米計畫,讓臺灣具備八吋晶圓產製能力。次微米計畫後衍生成立世界先進公司,成為催化臺灣記憶體產業的重要推手。

1999年,盧志遠博士加入旺宏電子,專注非揮發性記憶體前瞻技術研發,帶領旺宏研發團隊持續在國際重要學術會議如IEDM、ISSCC、VLSI、IRPS等發表多項次世代記憶體先驅技術,研發實力屢獲全球高度肯定。旺宏電子目前於全球所擁有的高品質專利數已逾7,200項。而他所創辦的欣銓科技,證實晶圓級測試為可行的商業模式,更成為尖端半導體生產過程中不可或缺的一環,也獲得美國哈佛大學商學院(HBS)納為推廣教案。

盧志遠博士積極鑽研電子元件及材料科技,發表超過 480多篇學術及技術論文,更擁有160餘項國際專利,榮獲無數國內外獎項及榮耀肯定,包括美國電機電子學會IEEE千禧傑出獎章、潘文淵文教基金會研究傑出獎、行政院傑出科技人才獎,有世界科技研發工程師界奧斯卡獎之稱的IEEE Frederik Philips Award、國家最高榮譽科學研究獎項--總統科學獎,及世界科學院(TWAS)工程科學獎等,更獲得美國物理學會APS Fellow、IEEE Fellow、中華民國科技管理學會院士及科技管理獎、工研院院士、臺大傑出校友、交大名譽博士等榮銜。盧博士不但在百忙之中仍應允擔任物理系特聘講座教授,向學術界分享豐碩的產業經驗,更熱心支持母校及物理系所及產學研界各項活動,包括長期贊助中華民國物理學會年會等,皆是以實際行動支持科技教育推廣及人才培育計畫。

NAI於 2017年選出155名新院士,目前全球共有912位NAI院士,他們皆是重要的學術界巨擘與掌舵者,包含29位諾貝爾獎得主,52位美國國家學術院院士等,所擁有的美國專利超過32,000個。過去院士中的臺灣學者還包括科技部長 陳良基、臺北醫學大學校長 閻雲、中央研究院長 廖俊智、前臺大校長 楊泮池、交通大學校長 張懋中、中央研究院院士 錢煦、朱經武 和李文華等人。這些NAI院士的成就與努力貢獻,為全世界的經濟與社會進步發展提供創新動力, 也為人類醫療健康和環境永續帶來福祉與希望。

美國國家發明家學院暨年會相關網站:
http://academyofinventors.org/fellows.asp
http://www.academyofinventors.org/conference/

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    盧志遠博士榮獲2017年美國國家發明家學院院士

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